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邁可諾技術有限公司

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    IC制作核心工藝-光刻

    閱讀:616 發(fā)布時間:2021/02/01

    光刻是通過光照射投影的方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結構圖形刻在涂有光刻膠的硅片上,通過光的照射,光刻膠的成分發(fā)生化學反應,從而生成電路圖。利用旋涂技術,將光刻膠均勻涂布在硅片表面
    通過掩模曝光后,曝光部分的光刻膠會發(fā)生化學反應,大的光刻膠分子分解成較小的分子。下一步顯影,將硅片浸入有機溶劑中以除去已曝光光刻膠區(qū)域,溶劑僅溶解在曝光過程中產(chǎn)生的小分子,后使用兩種方法將圖案轉(zhuǎn)移到硅片上。一種方法是蝕刻,將硅片從蝕刻后未涂覆光刻膠的圖案區(qū)域化學去除,去除剩余的光刻膠以揭示蝕刻到硅片表面的圖案。另一種方法是剝離,其中在整個硅片上沉積金屬層,然后去除光刻膠,使金屬與之成為wei一的區(qū)域。金屬涂層是所需的圖案,其中在顯影步驟中先前已除去了光刻膠。




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